耗尽层

形成正向偏置下的PN结，表现为耗尽层变薄。在p端与n端均掺杂1e/cm水平，导致内在电势~0.59V。耗尽厚度的降低可以从电荷分布曲线上推断。PN结中耗尽区的形成在PN结中，由于载流子浓度的梯度，空穴、电子会通过扩散作用的形式分别向掺杂浓度低的N区、P区移动。扩散作用产生的少数载流子会产生一个内在电场。这个电场会使载流子发生漂移运动，这一运动与扩散的方向正好相反，二者会达成动态平衡。这两种作用的结果是在PN结处形成一个电子、空穴都很稀少的耗尽层。因为耗尽层中载流子少，其特征类似电容，这一电容也被称为结电容。当给PN结加正偏压时，耗尽层变薄，如右图所示。当给PN结加负偏压时，耗尽层变厚。