词条 甘方平

甘方平

始祖 : (唐) 甘方平,讳从矩.
甘方平简介资料
甘方平相关文献
甘肃省-兰州马佐平
美国国籍,微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。现任美国耶鲁大学教授。2003年当选为美国工程院院士。马佐平对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展,尤其是在MOS栅介质(包括高介电常数的栅介质)的科技领域做出重要贡献。1970年始他在做超薄(~4纳米)栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响,发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联,而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果,推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象,并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用实验证明其可行性,推动了近年引入用更高介电常数...
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张方平
参考书目《东坡后集》卷一七《张文定公墓志铭》。
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王方平
参考资料《真仙通鉴》《神仙传》
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甘平公
参考资料《左传》昭公
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张方平
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家族谱大览
平越甘氏家族
平越甘氏家族
自我祖从矩公发源于江西省南昌府丰城县,九世迪才祖移居湖北省荆州府公安县,繁殖宏大,棠赋祖之子上国公入黔,安家于贵州平越府(现贵州福泉市),即我族入黔始祖。 上、训、雨、思、如、天、义,以上是由湖北公安相传。 其、家、培、大、业, 在、国、立、元、勋; 章、承、锡、以、盛, 吉、运、会、能、通; 世、泽、克、从、振, 金、光、正、本、宗。
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平越甘氏族谱
平越甘氏族谱
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2.程氏世谱海阳东山谱系, 2, 中卷, 谱系序 行辈 世系: 1世彦平 彦方 彦忠 彦高公起, 2003
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 公元2003年. 3册: 插图, 人像, 世系表. 收藏者: 太原寻源姓氏文化研究中心. 远祖: 黄帝. 始祖: (宋) 程颢. 东山始迁祖(1世): (明清之际) 程彦平 ; 程彦方 ; 程彦忠 ; 程彦高. 均为良祖子海公之子. 注: 1~8世历代嫡庶世系不明. 各支系始祖: 程佩(7世) ; 程杲(3世) ; 程坤(5世) ; 程一进(8世) ; 程子然(9世) 注: 第2册, 中卷, 影像第11页, 谱书第144页, 有皇清末年海洋东山程氏家族32繁128字起名定例, 及附洛阳二程故里起名定例. 注: 此谱以简化字体书写. 散居地: 山东省海阳县等地. 书名据书衣题编目. 版心题: 程氏世谱东山谱系.
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高平郡范氏方田泗坑
高平郡范氏方田泗坑
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方氏家谱
原书: 写本, 民国63[1974]记事. [12]页 : 世系表. 长乐始祖 : 方廷范. 台湾始迁祖 : 方孔花字连富(民国) 散居地 : 福建省长乐县罗城乡方厝村及台湾省花莲县花莲市等地. 福建福州长乐县
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方氏家谱
原书: 写本, 民国56[1967]记事. [13]页 : 世系表. 始祖 : 方时文. 散居地 : 福建省长乐县罗城乡方厝村及台湾省花莲县花莲市等地. 福建福州长乐县
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